作為一個(gè)無(wú)源器件，屏蔽電纜本身不會(huì)成為電磁干擾源，但作為系統(tǒng)內(nèi)各部分之間的信號(hào)傳輸通道，電纜必然會(huì)對(duì)系統(tǒng)的信息泄漏和抗干擾性能產(chǎn)生重要的影響。采用屏蔽設(shè)計(jì)的電纜，一方面可以有效的抑制空間電磁場(chǎng)對(duì)線路的影響，保證信號(hào)的質(zhì)量，另一方面也可以降低電纜內(nèi)的傳輸信號(hào)對(duì)外界的電磁輻射，減少電磁污染，防止信息泄漏。
目前，關(guān)于屏蔽電纜屏蔽性能的各種測(cè)試方法多達(dá)幾十種，其中既有直接測(cè)量屏蔽效能(屏蔽衰減)的，也有間接測(cè)量表面轉(zhuǎn)移阻抗的，既有基于場(chǎng)的測(cè)量方法，也有基于路(耦合)的測(cè)量方法。這些方法都有各自的優(yōu)勢(shì)和不足。
測(cè)量屏蔽電纜屏蔽衰減的方法有兩種：泄漏法和滲透法。
泄漏法是在同軸電纜內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)電磁場(chǎng)，由于電纜屏蔽不夠好，電纜內(nèi)、外導(dǎo)體間的強(qiáng)電磁場(chǎng)可通過(guò)外導(dǎo)體的縫隙泄漏出來(lái)。測(cè)量泄漏場(chǎng)強(qiáng)來(lái)表征電纜的屏蔽衰減，吸收鉗法使用的是泄漏法。滲透法是將被測(cè)電纜放在均勻電磁場(chǎng)中，由于電纜的外導(dǎo)體有縫隙，電磁場(chǎng)通過(guò)縫隙滲透到電纜內(nèi)部，測(cè)量滲透場(chǎng)強(qiáng)也可表征電纜的屏蔽衰減。隨著電磁兼容測(cè)量設(shè)備的發(fā)展，用可以產(chǎn)生均勻橫向電磁場(chǎng)的GTEM室來(lái)測(cè)量電纜的屏蔽衰減。這種測(cè)量方法稱(chēng)為GTEM室法，屬于滲透法，比吸收鉗法復(fù)雜。但GTEM室法測(cè)量范圍為直流-1GHz，比吸收鉗測(cè)量范圍更寬。從理論上講，GTEM室可以產(chǎn)生的電磁場(chǎng)強(qiáng)度僅與輸入信號(hào)功率有關(guān)，只要功率放大器足夠大，就可產(chǎn)生很高的場(chǎng)強(qiáng)。這使GTEM室測(cè)量屏蔽衰減的靈敏度大大提高。
在所有的“場(chǎng)測(cè)試方法”中，混響室法是目前發(fā)展zui快的一個(gè)。目前，混響室已經(jīng)被國(guó)際電工委員會(huì)采納成為了一種標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法。
混響室測(cè)試方法的zui大問(wèn)題就是低頻受限；而作為一個(gè)傳統(tǒng)的測(cè)試方法，傳輸線法正好可以在頻率上彌補(bǔ)混響室方法的不足。以線注入法為例，其適用頻段在10kHz一3GHz。
線注入法的測(cè)量裝置分為初級(jí)回路和次級(jí)回路兩個(gè)部分。初級(jí)回路為注入線與待測(cè)電纜的屏蔽層所構(gòu)成的一段匹配傳輸線，次級(jí)回路由待測(cè)電纜的芯線和屏蔽層構(gòu)成。信號(hào)發(fā)生器在初級(jí)回路建立行波電流模擬干擾源，在“短線”條件下，通過(guò)測(cè)量次級(jí)回路的電壓就能直接得以屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗。
安徽匯邦電氣（http://m.dbldk.com）主營(yíng)：低煙無(wú)鹵電纜,扁電纜,屏蔽電纜,補(bǔ)償導(dǎo)線等
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